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• 车规 SiC 功率模块封装工艺难点与国产替代路径
  2026-09-08 ｜ 汽车制造工艺 ｜ 结论先行：800V 平台与高压快充把 SiC 功率模块推上主驱逆变刚需位。其制造难点集中在高温封装材料、烧结互连、功率循环寿命三处，国产突破的关键不在芯片本身，而在封装与可靠性验证…

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