车规 SiC 功率模块封装工艺难点与国产替代路径

结论先行：800V 平台与高压快充把 SiC 功率模块推上主驱逆变刚需位。其制造难点集中在高温封装材料、烧结互连、功率循环寿命三处，国产突破的关键不在芯片本身，而在封装与可靠性验证体系。

工艺环节与难点

三个判断锚点

1. 银烧结替代焊料是高温可靠性的分水岭，空洞率直接决定功率循环寿命。

2. 热阻（Rth）与杂散电感是模块电性能的两大硬指标，封装结构决定上限。

3. 车规可靠性验证周期是国产替代的真实门槛——芯片能造，不等于模块能上车。

SiC 模块的竞争终局不在"谁能做芯片"，而在"谁能把封装良率与功率循环寿命稳定跑满车规曲线"。

供应商关注要点

评估 SiC 模块供应商时，应重点看已量产车型定点数量与功率循环实测数据，而非仅看芯片自研比例。封装与验证能力才是上车确定性。